TRANSISTORIMODUULI - 100V - 200A - SOT227B - RUUVATTU

Name: TRANSISTORIMODUULI - 100V - 200A - SOT227B - RUUVATTU IXFN200N10P
Brand: IXYS
SKU: IXFN200N10P
Price: 53.64 EUR
Availability: OutOfStock

IXFN200N10P

Kirjoita arvostelu

Kaikki IXYS tuotteet

Valmistaja IXYS Puolijohdemoduulin tyyppi MOSFET transistori- Puolijohteen rakenne yksittäinen transistori Nielu-lähde jännite 100V Nielun sähkövirta 200A Kotelo SOT227B Sähköasennus ruuvattu... Lue lisää

53,64 €(Sis.alv)

42,74 €(alv 0%)

Tuotekoodi: IXFN200N10P
Paino: 37 g
Kotelo: SOT227B
Valmistaja: IXYS
Mekaninen asennus: ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana: 7,5mOhm
Teknologia: HiPerFET
Teknologia: Polar
Puolijohteen rakenne: yksittäinen transistori
Sirontateho: 680W
Valmiusaika: 150ns
Polarisaatio: uni-polaarinen
Hila-lähde jännite: ±30V
Hilan sähkövaraus: 235nC
Nielu-lähde jännite: 100V
Nielun sähkövirta: 200A
Nieluvirta impulssissa: 400A
Sähköasennus: ruuvattu

Tuote loppu toimittajalta

Pyydä tarjous / Kysy lisää tuotteesta

Lisää toive- / tilauslistaan

Valmistaja	IXYS
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	yksittäinen transistori
Nielu-lähde jännite	100V
Nielun sähkövirta	200A
Kotelo	SOT227B
Sähköasennus	ruuvattu
Polarisaatio	uni-polaarinen
Resistanssi johtumisen aikana	7,5mohm
Nieluvirta impulssissa	400A
Sirontateho	680W
Teknologia	HiPerFET™
Teknologia	Polar™
Kanaalin laji	avaustila
Hilan sähkövaraus	235nC
Valmiusaika	150ns
Hila-lähde jännite	±30V
Mekaninen asennus	ruuvattu

Tuotteen liitteet:

Dokumentaatio(EN)

Myymälä

Saatavuus

Osoite

Yhteystiedot ja aukioloajat

Tuotearviointi
Palvelu/toimitus

Nimimerkki

Vapaavalintainen nimimerkki, jonka julkaisemme arvostelun yhteydessä.

Kirjoita tähän arvostelusi

Lähettämällä arvostelusi annat meille oikeuden julkaista sen sivuillamme sekä muissa kanavissa ja medioissa. Radioduo.fi-verkkokauppa pidättää oikeuden olla julkaisematta arvostelua. Lähettämällä arvostelusi hyväksyt nämä ehdot.

Ilmainen toimitus yli 150,00 € tilauksille