TRANSISTORIMODUULI - 1,2KV - 30A - SOT227B - RUUVATTU

Name: TRANSISTORIMODUULI - 1,2KV - 30A - SOT227B - RUUVATTU IXFN30N120P
Brand: IXYS
SKU: IXFN30N120P
Price: 121.4 EUR
Availability: OutOfStock

IXFN30N120P

Kirjoita arvostelu

Kaikki IXYS tuotteet

Valmistaja IXYS Puolijohdemoduulin tyyppi MOSFET transistori- Puolijohteen rakenne yksittäinen transistori Nielu-lähde jännite 1,2kV Nielun sähkövirta 30A Kotelo SOT227B Sähköasennus ruuvattu... Lue lisää

121,40 €(Sis.alv)

96,74 €(alv 0%)

Tuotekoodi: IXFN30N120P
Paino: 36.6 g
Kotelo: SOT227B
Valmistaja: IXYS
Mekaninen asennus: ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana: 0,35Ohm
Teknologia: HiPerFET
Teknologia: Polar
Puolijohteen rakenne: yksittäinen transistori
Sirontateho: 890W
Valmiusaika: 300ns
Polarisaatio: uni-polaarinen
Hila-lähde jännite: ±40V
Hilan sähkövaraus: 310nC
Nielu-lähde jännite: 1,2kV
Nielun sähkövirta: 30A
Nieluvirta impulssissa: 75A
Sähköasennus: ruuvattu

Tuote loppu toimittajalta

Pyydä tarjous / Kysy lisää tuotteesta

Lisää toive- / tilauslistaan

Valmistaja	IXYS
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	yksittäinen transistori
Nielu-lähde jännite	1,2kV
Nielun sähkövirta	30A
Kotelo	SOT227B
Sähköasennus	ruuvattu
Polarisaatio	uni-polaarinen
Resistanssi johtumisen aikana	0,35ohm
Nieluvirta impulssissa	75A
Sirontateho	890W
Teknologia	HiPerFET™
Teknologia	Polar™
Kanaalin laji	avaustila
Hilan sähkövaraus	310nC
Valmiusaika	300ns
Hila-lähde jännite	±40V
Mekaninen asennus	ruuvattu

Tuotteen liitteet:

Dokumentaatio(EN)

Myymälä

Saatavuus

Osoite

Yhteystiedot ja aukioloajat

Tuotearviointi
Palvelu/toimitus

Nimimerkki

Vapaavalintainen nimimerkki, jonka julkaisemme arvostelun yhteydessä.

Kirjoita tähän arvostelusi

Lähettämällä arvostelusi annat meille oikeuden julkaista sen sivuillamme sekä muissa kanavissa ja medioissa. Radioduo.fi-verkkokauppa pidättää oikeuden olla julkaisematta arvostelua. Lähettämällä arvostelusi hyväksyt nämä ehdot.

Ilmainen toimitus yli 150,00 € tilauksille