MODUULI - SIC-DIODI/TRANSISTORI - 1,2KV - 23A - SP1 - PRESS-IN PCB

Name: MODUULI - SIC-DIODI/TRANSISTORI - 1,2KV - 23A - SP1 - PRESS-IN PCB APTM120DA30CT1G
SKU: APTM120DA30CT1G
Price: 1928.92 EUR
Availability: OutOfStock

APTM120DA30CT1G

Kirjoita arvostelu

Valmistaja MICROCHIP TECHNOLOGY Puolijohdemoduulin tyyppi MOSFET transistori- Puolijohteen rakenne SiC-diodi/transistori Nielu-lähde jännite 1,2kV Nielun sähkövirta 23A Kotelo SP1 Topologia boost... Lue lisää

1928,92 €(Sis.alv)

1536,99 €(alv 0%)

Tuotekoodi: APTM120DA30CT1G
Paino: 80 g
Kotelo: SP1
Valmistaja: MICROCHIP TECHNOLOGY
Mekaninen asennus: ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana: 0,36Ohm
Teknologia: SiC
Teknologia: POWER MOS 8®
Puolijohteen rakenne: SiC-diodi/transistori
Sirontateho: 657W
Topologia: boost chopper
Topologia: NTC termistori
Hila-lähde jännite: ±30V
Nielu-lähde jännite: 1,2kV
Nielun sähkövirta: 23A
Nieluvirta impulssissa: 195A
Sähköasennus: Press-in PCB
Pakkauskoko: 12 kpl

Tuote loppu toimittajalta

Pyydä tarjous / Kysy lisää tuotteesta

Lisää toive- / tilauslistaan

Valmistaja	MICROCHIP TECHNOLOGY
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	SiC-diodi/transistori
Nielu-lähde jännite	1,2kV
Nielun sähkövirta	23A
Kotelo	SP1
Topologia	boost chopper
Topologia	NTC termistori
Sähköasennus	Press-in PCB
Resistanssi johtumisen aikana	0,36ohm
Nieluvirta impulssissa	195A
Sirontateho	657W
Teknologia	POWER MOS 8®
Teknologia	SiC
Hila-lähde jännite	±30V
Mekaninen asennus	ruuvattu

Myymälä

Saatavuus

Osoite

Yhteystiedot ja aukioloajat

Tuotearviointi
Palvelu/toimitus

Nimimerkki

Vapaavalintainen nimimerkki, jonka julkaisemme arvostelun yhteydessä.

Kirjoita tähän arvostelusi

Lähettämällä arvostelusi annat meille oikeuden julkaista sen sivuillamme sekä muissa kanavissa ja medioissa. Radioduo.fi-verkkokauppa pidättää oikeuden olla julkaisematta arvostelua. Lähettämällä arvostelusi hyväksyt nämä ehdot.

Ilmainen toimitus yli 150,00 € tilauksille