MODUULI - DIODI/TRANSISTORI - 1,2KV - 37A - SP6C - IDM: 200A - 1,25KW

Name: MODUULI - DIODI/TRANSISTORI - 1,2KV - 37A - SP6C - IDM: 200A - 1,25KW APTM120A20SG
SKU: APTM120A20SG
Price: 2120.68 EUR
Availability: OutOfStock

APTM120A20SG

Kirjoita arvostelu

Valmistaja MICROCHIP TECHNOLOGY Puolijohdemoduulin tyyppi MOSFET transistori- Puolijohteen rakenne diodi/transistori Nielu-lähde jännite 1,2kV Nielun sähkövirta 37A Kotelo SP6C Topologia MOSFET... Lue lisää

2120,68 €(Sis.alv)

1689,78 €(alv 0%)

Tuotekoodi: APTM120A20SG
Paino: 0.3 kg
Kotelo: SP6C
Valmistaja: MICROCHIP TECHNOLOGY
Mekaninen asennus: ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana: 0,24Ohm
Teknologia: POWER MOS 7®
Puolijohteen rakenne: diodi/transistori
Sirontateho: 1,25kW
Topologia: MOSFET puolisilta + sarjadiodit + rinnakkaisdiodit
Hila-lähde jännite: ±30V
Nielu-lähde jännite: 1,2kV
Nielun sähkövirta: 37A
Nieluvirta impulssissa: 200A
Sähköasennus: ruuvattu
Sähköasennus: FASTON yhdistimet
Pakkauskoko: 4 kpl

Tuote loppu toimittajalta

Pyydä tarjous / Kysy lisää tuotteesta

Lisää toive- / tilauslistaan

Valmistaja	MICROCHIP TECHNOLOGY
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	diodi/transistori
Nielu-lähde jännite	1,2kV
Nielun sähkövirta	37A
Kotelo	SP6C
Topologia	MOSFET puolisilta + sarjadiodit + rinnakkaisdiodit
Sähköasennus	FASTON yhdistimet
Sähköasennus	ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana	0,24ohm
Nieluvirta impulssissa	200A
Sirontateho	1,25kW
Teknologia	POWER MOS 7®
Hila-lähde jännite	±30V
Mekaninen asennus	ruuvattu

Myymälä

Saatavuus

Osoite

Yhteystiedot ja aukioloajat

Tuotearviointi
Palvelu/toimitus

Nimimerkki

Vapaavalintainen nimimerkki, jonka julkaisemme arvostelun yhteydessä.

Kirjoita tähän arvostelusi

Lähettämällä arvostelusi annat meille oikeuden julkaista sen sivuillamme sekä muissa kanavissa ja medioissa. Radioduo.fi-verkkokauppa pidättää oikeuden olla julkaisematta arvostelua. Lähettämällä arvostelusi hyväksyt nämä ehdot.

Ilmainen toimitus yli 150,00 € tilauksille