N-KANAVA MOSFET - SIC - UNI-POLAARINEN - 1,2KV - 30A - IDM: 111A

MSC080SMB120SDT/RM

Valmistaja MICROCHIP TECHNOLOGY Kotelo TO263-7XL Puolijohde-elementtien ominaisuudet Kelvin lähtö Pakkaus rulla Pakkaus teippi Teknologia SiC Hilan sähkövaraus 64nC Resistanssi johtumisen aikana... Lue lisää

14,05 €(Sis.alv)

11,19 €(alv 0%)

Tuotekoodi: MSC080SMB120SDTRM
Paino: 1 g
Kotelo: TO263-7XL
Asennus: SMD
Valmistaja: MICROCHIP TECHNOLOGY
Pakkauksen tyyppi: teippi
Pakkauksen tyyppi: rulla
Resistanssi johtumisen aikana: 0,1Ohm
Puolijohde-elementtien ominaisuudet: Kelvin lähtö
Teknologia: SiC
Sirontateho: 268W
Polarisaatio: uni-polaarinen
Transistorin tyyppi: N-MOSFET
Hilan sähkövaraus: 64nC
Nielu-lähde jännite: 1,2kV
Nielun sähkövirta: 30A
Nieluvirta impulssissa: 111A

Tuote loppu toimittajalta

Pyydä tarjous / Kysy lisää tuotteesta

Lisää toive- / tilauslistaan

Valmistaja	MICROCHIP TECHNOLOGY
Kotelo	TO263-7XL
Puolijohde-elementtien ominaisuudet	Kelvin lähtö
Pakkaus	rulla
Pakkaus	teippi
Teknologia	SiC
Hilan sähkövaraus	64nC
Resistanssi johtumisen aikana	0,1ohm
Sirontateho	268W
Nielun sähkövirta	30A
Nieluvirta impulssissa	111A
Nielu-lähde jännite	1,2kV
Kanaalin laji	avaustila
Polarisaatio	uni-polaarinen
Transistorin tyyppi	N-MOSFET
Asennus	SMD
Perhe	SMB

Myymälä

Saatavuus

Osoite

Yhteystiedot ja aukioloajat

Tuotearviointi
Palvelu/toimitus

Nimimerkki

Vapaavalintainen nimimerkki, jonka julkaisemme arvostelun yhteydessä.

Kirjoita tähän arvostelusi

Lähettämällä arvostelusi annat meille oikeuden julkaista sen sivuillamme sekä muissa kanavissa ja medioissa. Radioduo.fi-verkkokauppa pidättää oikeuden olla julkaisematta arvostelua. Lähettämällä arvostelusi hyväksyt nämä ehdot.

Ilmainen toimitus yli 150,00 € tilauksille