MODUULI - SIC-DIODI/TRANSISTORI - 500V - 110A - SP6C - IDM: 600A - 1,25KW

Name: MODUULI - SIC-DIODI/TRANSISTORI - 500V - 110A - SP6C - IDM: 600A - 1,25KW APTM50AM24SCG
SKU: APTM50AM24SCG
Price: 2330.12 EUR
Availability: OutOfStock

APTM50AM24SCG

Kirjoita arvostelu

Valmistaja MICROCHIP TECHNOLOGY Resistanssi johtumisen aikana 28mohm Nielun sähkövirta 110A Hila-lähde jännite ±30V Nieluvirta impulssissa 600A Sirontateho 1,25kW Nielu-lähde jännite 500V... Lue lisää

2330,12 €(Sis.alv)

1856,67 €(alv 0%)

Tuotekoodi: APTM50AM24SCG
Paino: 0.3 kg
Kotelo: SP6C
Valmistaja: MICROCHIP TECHNOLOGY
Mekaninen asennus: ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana: 28mOhm
Teknologia: SiC
Teknologia: POWER MOS 7®
Puolijohteen rakenne: SiC-diodi/transistori
Sirontateho: 1,25kW
Topologia: MOSFET puolisilta + sarjadiodit + rinnakkaisdiodit
Hila-lähde jännite: ±30V
Nielu-lähde jännite: 500V
Nielun sähkövirta: 110A
Nieluvirta impulssissa: 600A
Sähköasennus: ruuvattu
Sähköasennus: FASTON yhdistimet
Pakkauskoko: 4 kpl

Tuote loppu toimittajalta

Pyydä tarjous / Kysy lisää tuotteesta

Lisää toive- / tilauslistaan

Valmistaja	MICROCHIP TECHNOLOGY
Resistanssi johtumisen aikana	28mohm
Nielun sähkövirta	110A
Hila-lähde jännite	±30V
Nieluvirta impulssissa	600A
Sirontateho	1,25kW
Nielu-lähde jännite	500V
Topologia	MOSFET puolisilta + sarjadiodit + rinnakkaisdiodit
Puolijohteen rakenne	SiC-diodi/transistori
Sähköasennus	FASTON yhdistimet
Sähköasennus	ruuvattu
Teknologia	POWER MOS 7®
Teknologia	SiC
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Mekaninen asennus	ruuvattu
Kotelo	SP6C

Myymälä

Saatavuus

Osoite

Yhteystiedot ja aukioloajat

Tuotearviointi
Palvelu/toimitus

Nimimerkki

Vapaavalintainen nimimerkki, jonka julkaisemme arvostelun yhteydessä.

Kirjoita tähän arvostelusi

Lähettämällä arvostelusi annat meille oikeuden julkaista sen sivuillamme sekä muissa kanavissa ja medioissa. Radioduo.fi-verkkokauppa pidättää oikeuden olla julkaisematta arvostelua. Lähettämällä arvostelusi hyväksyt nämä ehdot.

Ilmainen toimitus yli 150,00 € tilauksille