MODUULI - SIC-DIODI/TRANSISTORI - 1KV - 49A - SP6C - IDM: 240A - 1,25KW

Name: MODUULI - SIC-DIODI/TRANSISTORI - 1KV - 49A - SP6C - IDM: 240A - 1,25KW APTM100A13SCG
SKU: APTM100A13SCG
Price: 2255.76 EUR
Availability: OutOfStock

APTM100A13SCG

Kirjoita arvostelu

Valmistaja MICROCHIP TECHNOLOGY Kotelo SP6C Mekaninen asennus ruuvattu Resistanssi johtumisen aikana 156mohm Nielun sähkövirta 49A Hila-lähde jännite ±30V Nieluvirta impulssissa 240A Nielu-lähde... Lue lisää

2255,76 €(Sis.alv)

1797,42 €(alv 0%)

Tuotekoodi: APTM100A13SCG
Paino: 0.3 kg
Kotelo: SP6C
Valmistaja: MICROCHIP TECHNOLOGY
Mekaninen asennus: ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana: 156mOhm
Teknologia: SiC
Teknologia: POWER MOS 7®
Puolijohteen rakenne: SiC-diodi/transistori
Sirontateho: 1,25kW
Topologia: MOSFET puolisilta + sarjadiodit + rinnakkaisdiodit
Hila-lähde jännite: ±30V
Nielu-lähde jännite: 1kV
Nielun sähkövirta: 49A
Nieluvirta impulssissa: 240A
Sähköasennus: ruuvattu
Sähköasennus: FASTON yhdistimet
Pakkauskoko: 4 kpl

Tuote loppu toimittajalta

Pyydä tarjous / Kysy lisää tuotteesta

Lisää toive- / tilauslistaan

Valmistaja	MICROCHIP TECHNOLOGY
Kotelo	SP6C
Mekaninen asennus	ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana	156mohm
Nielun sähkövirta	49A
Hila-lähde jännite	±30V
Nieluvirta impulssissa	240A
Nielu-lähde jännite	1kV
Sirontateho	1,25kW
Topologia	MOSFET puolisilta + sarjadiodit + rinnakkaisdiodit
Puolijohteen rakenne	SiC-diodi/transistori
Sähköasennus	FASTON yhdistimet
Sähköasennus	ruuvattu
Teknologia	POWER MOS 7®
Teknologia	SiC
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-

Myymälä

Saatavuus

Osoite

Yhteystiedot ja aukioloajat

Tuotearviointi
Palvelu/toimitus

Nimimerkki

Vapaavalintainen nimimerkki, jonka julkaisemme arvostelun yhteydessä.

Kirjoita tähän arvostelusi

Lähettämällä arvostelusi annat meille oikeuden julkaista sen sivuillamme sekä muissa kanavissa ja medioissa. Radioduo.fi-verkkokauppa pidättää oikeuden olla julkaisematta arvostelua. Lähettämällä arvostelusi hyväksyt nämä ehdot.

Ilmainen toimitus yli 150,00 € tilauksille