MODUULI - SIC-DIODI/TRANSISTORI - 1KV - 110A - SP6 - RUUVATTU - IDM: 580A

Name: MODUULI - SIC-DIODI/TRANSISTORI - 1KV - 110A - SP6 - RUUVATTU - IDM: 580A APTM100UM65SCAVG
SKU: APTM100UM65SCAVG
Price: 2238.3 EUR
Availability: OutOfStock

APTM100UM65SCAVG

Kirjoita arvostelu

Valmistaja MICROCHIP TECHNOLOGY Kotelo SP6 Mekaninen asennus ruuvattu Resistanssi johtumisen aikana 78mohm Nielun sähkövirta 110A Hila-lähde jännite ±30V Nieluvirta impulssissa 580A Nielu-lähde... Lue lisää

2238,30 €(Sis.alv)

1783,50 €(alv 0%)

Tuotekoodi: APTM100UM65SCAVG
Paino: 0.3 kg
Kotelo: SP6
Valmistaja: MICROCHIP TECHNOLOGY
Mekaninen asennus: ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana: 78mOhm
Teknologia: SiC
Teknologia: POWER MOS 7®
Puolijohteen rakenne: SiC-diodi/transistori
Sirontateho: 3,25kW
Topologia: yksittäinen transistori + sarjadiodi + rinnakkaisdiodi
Hila-lähde jännite: ±30V
Nielu-lähde jännite: 1kV
Nielun sähkövirta: 110A
Nieluvirta impulssissa: 580A
Sähköasennus: ruuvattu
Pakkauskoko: 3 kpl

Tuote loppu toimittajalta

Pyydä tarjous / Kysy lisää tuotteesta

Lisää toive- / tilauslistaan

Valmistaja	MICROCHIP TECHNOLOGY
Kotelo	SP6
Mekaninen asennus	ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana	78mohm
Nielun sähkövirta	110A
Hila-lähde jännite	±30V
Nieluvirta impulssissa	580A
Nielu-lähde jännite	1kV
Sirontateho	3,25kW
Topologia	yksittäinen transistori + sarjadiodi + rinnakkaisdiodi
Puolijohteen rakenne	SiC-diodi/transistori
Sähköasennus	ruuvattu
Teknologia	POWER MOS 7®
Teknologia	SiC
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-

Myymälä

Saatavuus

Osoite

Yhteystiedot ja aukioloajat

Tuotearviointi
Palvelu/toimitus

Nimimerkki

Vapaavalintainen nimimerkki, jonka julkaisemme arvostelun yhteydessä.

Kirjoita tähän arvostelusi

Lähettämällä arvostelusi annat meille oikeuden julkaista sen sivuillamme sekä muissa kanavissa ja medioissa. Radioduo.fi-verkkokauppa pidättää oikeuden olla julkaisematta arvostelua. Lähettämällä arvostelusi hyväksyt nämä ehdot.

Ilmainen toimitus yli 150,00 € tilauksille