MODUULI - SIC-DIODI/TRANSISTORI - 1,2KV - 86A - SP6 - RUUVATTU - 3,29KW

Name: MODUULI - SIC-DIODI/TRANSISTORI - 1,2KV - 86A - SP6 - RUUVATTU - 3,29KW APTM120U10SCAVG
SKU: APTM120U10SCAVG
Price: 1987.71 EUR
Availability: OutOfStock

APTM120U10SCAVG

Kirjoita arvostelu

Valmistaja MICROCHIP TECHNOLOGY Puolijohdemoduulin tyyppi MOSFET transistori- Puolijohteen rakenne SiC-diodi/transistori Nielu-lähde jännite 1,2kV Nielun sähkövirta 86A Kotelo SP6 Topologia... Lue lisää

1987,71 €(Sis.alv)

1583,84 €(alv 0%)

Tuotekoodi: APTM120U10SCAVG
Paino: 0.3 kg
Kotelo: SP6
Valmistaja: MICROCHIP TECHNOLOGY
Mekaninen asennus: ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana: 0,12Ohm
Teknologia: SiC
Teknologia: POWER MOS 7®
Puolijohteen rakenne: SiC-diodi/transistori
Sirontateho: 3,29kW
Topologia: yksittäinen transistori + sarjadiodi + rinnakkaisdiodi
Hila-lähde jännite: ±30V
Nielu-lähde jännite: 1,2kV
Nielun sähkövirta: 86A
Nieluvirta impulssissa: 464A
Sähköasennus: ruuvattu
Pakkauskoko: 3 kpl

Tuote loppu toimittajalta

Pyydä tarjous / Kysy lisää tuotteesta

Lisää toive- / tilauslistaan

Valmistaja	MICROCHIP TECHNOLOGY
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	SiC-diodi/transistori
Nielu-lähde jännite	1,2kV
Nielun sähkövirta	86A
Kotelo	SP6
Topologia	yksittäinen transistori + sarjadiodi + rinnakkaisdiodi
Sähköasennus	ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana	0,12ohm
Nieluvirta impulssissa	464A
Sirontateho	3,29kW
Teknologia	POWER MOS 7®
Teknologia	SiC
Hila-lähde jännite	±30V
Mekaninen asennus	ruuvattu

Myymälä

Saatavuus

Osoite

Yhteystiedot ja aukioloajat

Tuotearviointi
Palvelu/toimitus

Nimimerkki

Vapaavalintainen nimimerkki, jonka julkaisemme arvostelun yhteydessä.

Kirjoita tähän arvostelusi

Lähettämällä arvostelusi annat meille oikeuden julkaista sen sivuillamme sekä muissa kanavissa ja medioissa. Radioduo.fi-verkkokauppa pidättää oikeuden olla julkaisematta arvostelua. Lähettämällä arvostelusi hyväksyt nämä ehdot.

Ilmainen toimitus yli 150,00 € tilauksille