Valmistaja STARPOWER SEMICONDUCTOR Puolijohdemoduulin tyyppi IGBT Puolijohteen rakenne diodi/transistori Topologia 3-vaiheinen diodisilta Topologia boost chopper Topologia IGBT 3-vaiheinen silta... Lue lisää
55,86 €(Sis.alv)
44,51 €(alv 0%)
- Tuotekoodi: GD15PJY120L2S
- Paino: 24.3 g
- Kotelo: L2.2
- Valmistaja: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
- Valmistaja: STARPOWER SEMICONDUCTOR
- Mekaninen asennus: ruuvattu
- Max. estosuuntainen jännite: 1,2kV
- Teknologia: Advanced Trench FS IGBT
- Puolijohteen rakenne: diodi/transistori
- Kollektorin sähkövirta: 15A
- Kollektorin sähkövirta impulssissa: 30A
- Topologia: boost chopper
- Topologia: NTC termistori
- Topologia: 3-vaiheinen diodisilta
- Topologia: IGBT three-phase bridge OE output
- Topologia: IGBT 3-vaiheinen silta, OE-lähtö
- Hila - emitteri jännite: ±20V
- Sähköasennus: Press-in PCB
kpl
| Valmistaja | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
| Puolijohdemoduulin tyyppi | IGBT |
| Puolijohteen rakenne | diodi/transistori |
| Topologia | 3-vaiheinen diodisilta |
| Topologia | boost chopper |
| Topologia | IGBT 3-vaiheinen silta, OE-lähtö |
| Topologia | NTC termistori |
| Max. estosuuntainen jännite | 1,2kV |
| Kollektorin sähkövirta | 15A |
| Kotelo | L2.2 |
| Sähköasennus | Press-in PCB |
| Hila - emitteri jännite | ±20V |
| Kollektorin sähkövirta impulssissa | 30A |
| Teknologia | Advanced Trench FS IGBT |
| Mekaninen asennus | ruuvattu |
Myymälä
Saatavuus
Osoite
Yhteystiedot ja aukioloajat
Oletko ostanut tämän tuotteen?
Ilmainen toimitus yli 150,00 € tilauksille
Nouto valitsemastasi postista
7,90 €
Nouto Postin pakettiautomaatista
7,90 €
Normaalit hinnat
Postin kotiinkuljetus
18,50 €
Next Business Day
14,90 €
Nouto myymälästä
0,00 €